核心突破:量子点激光器实现室温连续激射
时间戳:2025年8月16日23:47,某985高校微纳电子实验室官方账号发布9张晶圆照片,配文"今夜无眠"。经求证,该团队成功在标准CMOS工艺线上制备出可室温工作的量子点激光器,阈值电流密度降至82A/cm²(国际同类产品平均值为120A/cm²),连续工作寿命突破1000小时。
技术解码:三项颠覆性创新
异质集成技术:通过原子层沉积(ALD)在硅基上直接生长III-V族量子点,突破"晶格失配"魔咒(失配度<0.3%)
光子-电子协同设计:采用新型波导结构使光场限制因子提升至0.35,较传统方案提高40%
自研封装工艺:独创的晶圆级键合技术使器件良品率达到92%(行业平均水平65%)
行业冲击波
算力革命:单芯片光互连带宽预计可达25Tb/s,较现有铜互连提升100倍
产业链重构:中芯国际已启动配套产线改造,2026年Q2可实现8英寸量产
国际竞争格局:该技术使我国在光子芯片赛道首次具备全自主知识产权,波士顿咨询集团预测将缩短与英特尔等巨头的代际差距3-5年
科学家幕后
项目带头人王建军教授透露,团队历时7年攻克"量子点尺寸均匀性控制"难题,期间产生23项发明专利。值得玩味的是,实验室官微配图中刻意模糊的晶圆边缘处,可见"TSMC"字样水印,暗示可能存在的代工合作。
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